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上海世辉电子有限公司

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B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S
发布时间:2023-08-31        浏览次数:3        返回列表
 专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器,热管理电动压缩机驱动器,射频电源,PET电力电子变压器,氢燃料空压机驱动,大功率工业电源,工商业储能变流器,变频器,变桨伺服驱动辅助电源,高频逆变焊机,高频伺服驱动,AI服务器电源,算力电源,数据中心电源,机房UPS等领域与客户战略合作,全力支持中国电力电子工业发展!
 
基本半导体隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门极驱动芯片,输出拉灌峰值电流典型值4A/6A,绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装;抗干扰能力强,高达100V/ns;低传输延时至45ns;分别提供 3 种管脚配置:BTD21520M提供禁用管脚(DIS)和死区设置(DT),BTD21520S提供禁用管脚(DIS), BTD21520E 提供单一PWM输入;副边VDD欠压保护点两种可选:分别是5.7V和8.2V。主要规格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,‍BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款单通道隔离门极驱动IC,输出峰值电流典型值10A, 绝缘电压高达5000Vrms@SOW8封装,3000Vrms@SOP8封装;抗干扰能力强,高达100V/ns;传输延时低至60ns;分别提供 3 种管脚配置:BTD5350M 提供门极米勒钳位功能,BTD5350S 提供独立的开通和关断输出管脚,BTD5350E 对副边的正电源配置欠压保护功能;副边VCC欠压保护点两种可选:分别是8V和11V。主要规格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR‍,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款单通道智能隔离门极驱动芯片,采用磁隔离技术;绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装;输出峰值电流典型值15A;管脚功能集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能,集成原副边电源欠压保护;集成副边电源稳压器功能,此稳压器可以根据副边电源输入电压,使驱动管脚自动分配正负压,适用在给电压等级1200V以内的IGBT或者碳化硅 MOSFET驱动。BTL2752x 系列是一款双通道、高速、低边门极驱动器,输出侧采用轨到轨方式;拉电流与灌电流能力可高达 5A,上升和下降时间低至 7ns 与 6ns;芯片的两个通道可并联使用,以增强驱动电流能力;信号输入脚*大可抗-5V的持续负压,支持4个标准逻辑选项:BTL27523带使能双路反相,BTL27523B不带使能双路反相 和 BTL27524带使能双路同相,BTL27524B不带使能双路同相。主要规格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR
 
专业分销基本半导体全碳化硅MOSFET模块,Easy封装全碳化硅MOSFET模块,62mm封装全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,光储碳化硅MOSFET。
 
基本半导体再度亮相全球功率半导体展会——PCIM Europe 2023,在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升,产品类型进一步丰富,助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
 
LLC,移相全桥等应用实现ZVS主要和Coss、关断速度和体二极管压降等参数有关。Coss决定所需谐振电感储能的大小,值越大越难实现ZVS;更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗,影响体二极管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的*低值;因为续流期间的主要损耗为体二极管的导通损耗.在这些参数方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟竞品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死区时间初始电流小;B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力会强一些。B2M第二代碳化硅MOSFET体二极管的Vf和trr 比竞品有较多优势,能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。综合来看,比起竞品,LLC,移相全桥应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.
 
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域*受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制,双向 AC/DC、电动汽车车载充电机(OBC)/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ,双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制,直流配网的电力电子变换器。
 
基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,以更好地满足客户需求。
 
基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点
更低比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。
 
更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。
 
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。
 
更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。
 
基本半导体第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。适用大功率电力电子装置的SiC MOSFET模块,半桥SiC MOSFET模块,ANPC三电平碳化硅MOSFET模块,T型三电平模块,MPPT BOOST SiC MOSFET模块。
B2M035120YP国产替代英飞凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z国产替代英飞凌IMYH200R024M1H。
B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。
 
NPC(Neutral Point Clamped)三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展,NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域,包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构,就是我们常说的“I”字型(也称NPC1)和“T”字型(也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一种NPC1的改进型,这些年随着器件的发展,ANPC也开始有一些适合的应用。
 
在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下,工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一,可以大化提升光伏自发自用率,降低工商业业主的电费开支,助力企业节能减排。
工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期,复合增速有望持续飙升。