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世辉电子（深圳）有限公司 车规级碳化硅MOSFET,新能源汽车SiC-MOSFET,汽车电驱动SiC MOSFET模块，充电桩电源...
 碳化硅功率模块的优点
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和封装技术的优点。得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。
碳化硅功率模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
碳化硅功率模块的关键特性
更高的开关频率，够优化滤波元件并降低其成本
冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模
*新的碳化硅SiC MOSFET芯片
标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻
针对实际应用优化芯片组 
碳化硅功率模块的应用 
太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用
储能系统：大效率和低噪声
UPS：高效双转换系统
电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）
电源：牵引应用、感应加热等的助电源
*的芯片和封装技术，实现*大能效
混合碳化硅模块：功率损耗降低50%，用简便
IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
几乎没有二极管损耗，并... 世辉电子（深圳）有限公司黄页信息，世辉电子（深圳）有限公司联系信息。世辉电子（深圳）有限公司地址位于深圳市南山区科苑南路3099号中国储能大厦9层B单元，主要服务经营车规级碳化硅MOSFET,新能源汽车SiC-MOSFET,汽车电驱动SiC MOSFET模块，充电桩电源模块SiC-MOSFET，储能变流器SiC-MOSFET，储能PCS SiC-MOSFET,混合IGBT模块，Hybrid IGBT module,隔离驱动IC,光伏MPPT SiC-MOSFET,OBC SiC-MOSFET,DC-DC SiC-MOSFET,碳化硅SiC MOSFET功率模块，混合IGBT单管，国产SiC-MOSFET,医疗电源SiC MOSFET。[详细介绍]